[알파경제=영상제작국] 삼성전자가 차세대 고대역폭메모리(HBM4) 생산 공정에서도 기존의 TC-NCF(열압착 비전도성 필름) 방식을 고수할 방침인 것으로 확인됐습니다. 이는 최근 시장 일각에서 제기된 한미반도체의 TC본더 장비 공급설을 정면으로 반박하는 대목으로, 기술적 안정성을 최우선시하겠다는 전략으로 풀이됩니다.
삼성전자는 HBM4 생산 과정에서 칩 사이에 비전도성 필름을 삽입하는 TC-NCF 공정을 유지할 계획입니다. 한미반도체의 듀얼 TC본더가 SK하이닉스가 채택한 MR-MUF(매스 리플로우 몰디드 언더필) 방식에 최적화된 것과 대조적입니다. 삼성 내부 사정에 정통한 한 관계자는 "칩 두께가 현저히 얇아지면서 휨(Warpage) 현상 억제가 중요해졌고, 16층 이상으로 높아지는 적층 구조의 안정성을 위해 TC-NCF 방식을 채택하는 것으로 안다"고 전했습니다.
전문가들은 시장의 공급설이 삼성전자의 공정 전환 가능성에 대한 과도한 추측에서 비롯된 것으로 보고 있습니다. 윤용필 한국외대 초빙교수는 "삼성전자가 HBM4에서 긍정적인 결과를 내자 기존 방식을 버리고 MR-MUF로 선회할 것이라는 가정이 공급설로 발전한 것 같다"며 "현재 삼성전자가 한미반도체 장비를 도입하기는 어려운 상황"이라고 분석했습니다.
증권업계에서는 한미반도체가 삼성전자에 200대, 미국 마이크론에 100대의 장비를 공급할 것이라는 미확인 정보가 확산된 바 있습니다. 메릴린치는 최근 보고서를 통해 2025년 한미반도체의 판매 비중에서 삼성전자가 25%를 차지하며 새로운 성장 동력이 될 것이라고 전망하기도 했습니다. 한편, 한미반도체 측은 해당 사안에 대한 취재진의 여러 차례에 걸친 확인 요청에 답변을 내놓지 않았습니다.
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