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| (사진= 우소연특파원) |
[알파경제=(고베) 우소연 특파원] 자동운전 등 첨단 기능을 갖춘 EV의 성능 향상을 위한 전략적 협력을 위해 혼다 자동차와 르네사스 일렉트로닉스가 차세대 전기차(EV)용 반도체 개발을 위해 손을 잡았다.
니혼게이자이신문(닛케이)에 의하면 7일 혼다 자동차는 르네사스 일렉트로닉스와의 협업을 통해 고성능 저전력 반도체를 공동 개발할 계획이라고 밝혔다.
이 반도체는 2020년대 후반 출시 예정인 혼다의 자체 개발 EV에 탑재될 예정이다.
이번 발표는 미국 라스베이거스에서 열리고 있는 세계 최대 기술 전시회 'CES'에서 이루어졌다.
양사는 인공지능(AI) 기술이 탑재된 고기능 EV 개발을 목표로, 데이터 처리량이 증가해도 전력 소비를 최소화하면서 높은 성능을 발휘할 수 있는 제품을 개발할 계획이다.
개발 과정에서 혼다는 반도체 사양을 결정하고, 르네사스는 설계를 담당하게 된다.
르네사스는 여러 반도체를 하나의 칩에 통합하는 '시스템 온 칩(SoC)' 기술에 강점을 가지고 있어, 이번 협력에서 중요한 역할을 할 것으로 예상된다.
개발될 칩은 최첨단 3나노미터 공정을 사용할 예정이며, 제조는 세계 최대 반도체 파운드리 업체인 대만 TSMC에 위탁될 것으로 알려졌다.
이 반도체는 우선 혼다가 2020년대 후반에 출시할 자체 개발 EV 브랜드인 '제로 시리즈'의 제2세대 모델에 탑재될 예정이며 혼다는 2026년부터 제로 시리즈의 첫 번째 세대 EV를 북미 시장에 선보일 계획이다.
알파경제 우소연 특파원(wsy0327@alphabiz.co.kr)
