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[알파경제=영상제작국] SK하이닉스가 차세대 고대역폭메모리(HBM)인 HBM4E부터 '하이브리드 본딩' 기술을 적용할 계획입니다. 이는 D램 칩 위아래를 구리로 직접 연결하는 혁신적인 방법으로, 기존 마이크로 범프와 접합 소재를 대체할 전망입니다.
이강욱 SK하이닉스 부사장은 부산에서 열린 ISMP-IRSP 2024 국제학술대회에서 이러한 HBM 패키징 로드맵을 발표했습니다. 그는 "HBM 패키지 높이가 증가함에 따라 D램 적층 간격 축소와 열 관리를 위해 하이브리드 본딩 전환이 필요하다"고 설명했습니다.
HBM4E부터는 새로운 패키징 공정이 요구되며, 이는 D램 간 간격 최소화와 열 관리 능력 개선을 위한 조치입니다. 현재 SK하이닉스는 매스리플로우-몰디드언더필(MR-MUF) 방식을 사용 중이나, 하이브리드 본딩은 실리콘관통전극(TSV)을 통해 신호 전달 속도 향상과 열 관리 효율성을 높일 수 있습니다.
SK하이닉스는 HBM3 12단 테스트의 긍정적 결과를 기반으로 자신감을 표명했으며, 8세대 HBM인 'HBM5'부터는 완전한 하이브리드 본딩 체제로 전환할 것으로 예상됩니다. 또한, 3차원(3D) 패키징 도입 가능성도 논의되고 있습니다.
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