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| (사진=SK하이닉스) |
[알파경제=류정민 기자] SK하이닉스가 경기도 용인 반도체 클러스터 내 첫 번째 생산공장(팹) 건설에 예정보다 일찍 착수했다.
25일 SK하이닉스 뉴스룸 측은 전날 용인 반도체 클러스터 1기 팹 착공에 들어갔다고 밝혔다.
당초 다음 달 착공 예정이었으나, 용인시가 21일 건축을 허가하면서 일정이 앞당겨졌다.
용인 처인구 일대에 조성되는 반도체 클러스터는 총 415만㎡(약 126만평) 규모로 계획되어 있다.
SK하이닉스 관계자는 "이 부지는 SK하이닉스 팹 60만평, 소재·부품·장비 업체 협력화 단지 14만평, 그리고 인프라 부지 12만평으로 구성될 예정"이라고 설명했다.
회사 측은 "SK하이닉스 용인캠퍼스는 고대역폭메모리(HBM)를 비롯한 차세대 D램 메모리 생산 거점으로 구축된다"며 "급증하는 인공지능(AI) 메모리 반도체 수요에 적기 대응해 회사의 중장기 성장 기반을 주도할 것"이라고 전했다.
SK하이닉스는 1기 팹과 업무 시설 건설에 약 9조4000억원을 투자할 계획이다.
최태원 SK그룹 회장은 지난해 현장을 방문해 "용인 클러스터는 SK하이닉스 역사상 가장 계획적이고도 전략적으로 추진되는 프로젝트"라고 말한 바 있다.
SK하이닉스는 충북 청주에서도 HBM 생산기지 'M15X' 건설을 진행 중이며, 연내 준공을 목표로 하고 있다.
이를 통해 회사는 급증하는 HBM 수요에 대응하기 위한 생산능력 확대에 주력하고 있다.
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| 사진=SK하이닉스 |
알파경제 류정민 기자(hera20214@alphabiz.co.kr)
