"대규모 국내 투자로 AI 메모리 시장 주도권 강화하고 국가경제에 기여"
M15X는 TSV 캐파 확장 중인 M15와 인접해 있어 HBM 생산을 최적화할 수 있다는 장점도 고려됐다.
TSV(Through Silicon Via)는 D램 칩에 수천 개의 미세한 구멍을 뚫어 상층과 하층 칩의 구멍을 수직으로 관통하는 전극으로 연결하는 상호연결 기술이다.
M15X와 함께 SK하이닉스는 약 120조 원이 투입되는 용인 클러스터 등 계획된 국내 투자를 차질 없이 진행한다는 방침이다.
현재 용인 클러스터의 부지 조성 공정률은 약 26%로, 목표 대비 3%포인트 빠르게 공사가 진행중이다.
회사는 용인 첫 번째 팹을 내년 3월 착공해 2027년 5월 준공할 예정이다.
곽노정 SK하이닉스 대표이사 사장은 “M15X는 전세계에 AI 메모리를 공급하는 핵심 시설로 거듭나 회사의 현재와 미래를 잇는 징검다리가 될 것”이라며 “이번 투자가 회사를 넘어 국가경제의 미래에 보탬이 되는 큰 발걸음이 될 것으로 확신한다”고 말했다. <자료제공=SK하이닉스>
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| (사진=SK하이닉스) |
[알파경제=김영택 기자] SK하이닉스가 차세대 D램 생산능력(Capacity) 확장에 나서기로 했다.
24일 SK하이닉스는 이사회 결의를 거쳐 청주시에 건설할 신규 팹(Fab) M15X를 D램 생산기지로 결정하고, 팹 건설에 약 5조 3000억원을 투자하기로 결정했다.
SK하이닉스는 이달 말부터 팹 건설 공사에 본격 나서 2025년 11월 준공 후 양산을 시작할 계획이다.
장비 투자도 순차적으로 진행해 장기적으로는 M15X에 총 20조원 이상의 투자할 방침이다.
SK하이닉스 관계자는 알파경제에 "국내 생산 기지 투자 확대를 통해 국가경제 활성화는 물론 반도체 강국 대한민국의 위상을 높일 것”이라고 설명했다.
SK하이닉스는 지난 2027년 상반기 용인 반도체 클러스터(이하 용인 클러스터)의 첫 번째 팹 준공 전에 청주 M15X에서 신규 D램을 생산하기로 했다.
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| (사진=SK하이닉스) |
M15X는 TSV 캐파 확장 중인 M15와 인접해 있어 HBM 생산을 최적화할 수 있다는 장점도 고려됐다.
TSV(Through Silicon Via)는 D램 칩에 수천 개의 미세한 구멍을 뚫어 상층과 하층 칩의 구멍을 수직으로 관통하는 전극으로 연결하는 상호연결 기술이다.
M15X와 함께 SK하이닉스는 약 120조 원이 투입되는 용인 클러스터 등 계획된 국내 투자를 차질 없이 진행한다는 방침이다.
현재 용인 클러스터의 부지 조성 공정률은 약 26%로, 목표 대비 3%포인트 빠르게 공사가 진행중이다.
회사는 용인 첫 번째 팹을 내년 3월 착공해 2027년 5월 준공할 예정이다.
곽노정 SK하이닉스 대표이사 사장은 “M15X는 전세계에 AI 메모리를 공급하는 핵심 시설로 거듭나 회사의 현재와 미래를 잇는 징검다리가 될 것”이라며 “이번 투자가 회사를 넘어 국가경제의 미래에 보탬이 되는 큰 발걸음이 될 것으로 확신한다”고 말했다. <자료제공=SK하이닉스>
알파경제 김영택 기자(sitory0103@alphabiz.co.kr)
